首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反
了解更多
2024年2月18日 感应加热法是国内外生长SiC晶体的主流工艺,电阻法将是未来生长大尺寸SiC晶体的主流工艺之一,根据安装量估算,国内PVT感应炉设备占比90%左右,电阻炉低
了解更多
2017年5月12日 冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1.成果的基本情况 碳化硅的工业生产，国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单炉
了解更多
2021年12月24日 碳化硅MOSFET关键工艺包括： 1、高温高能粒子注入技术（高的激活率，光滑表面及低缺陷）；2、欧姆接触技术（低的接触电阻率（＜1E-5Ωcm2），高温稳
了解更多
工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦 (无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：. SiO2+3C SiC+2CO—46。. 8kJ (11.20kcal）. 1.原料性能及要
了解更多
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术
了解更多
2024年2月14日 碳化硅工艺流程主要有以下几个步骤： 1. 原料准备：需要准备硅砂、碳素材料（石油焦、无烟煤等）、石英砂等原料。 2. 破碎和筛分：将原料进行破碎和筛分，得
了解更多
2024年2月5日 ”陈小龙告诉《中国科学报》，立方碳化硅的外延和器件制备与目前主流六方碳化硅采用的工艺和设备能够兼容，他们将进一步提高晶体生长稳定性和可靠性，向更大
了解更多
碳化硅冶炼工艺设计_百度文库. SiO2十3C＝SiC十2CO. 一氧化碳透过炉料跑出来，并在炉表面燃烧成二氧化碳成了—个柔和的、起伏的、蓝色至黄色的火焰毡被。 3.2.2活动炉、山
了解更多
2024年2月6日，碳化硅 (SiC) 材料市场领导者 ESK-SIC GmbH 与专门从事技术陶瓷和半导体技术制造的全球科技公司京瓷 (Kyocera) 宣布，双方已建立战略合作伙伴关系，旨在开发
了解更多
2024年2月18日 目前，碳化硅外延工艺主要有化学气相沉积（CVD）、液相外延生长（LPE）和分子束外延生长（MBE）。. 其中，CVD是目前工业中应用最为广泛和成熟的方法。. 目前，市场主要被德国的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大厂商占据。. 然而，受限于产能因素 ...
了解更多
合成时间为26~36h，冷却24h后可以浇水冷却，出炉后分层、分级拣选。. 破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的铁、铝、钙、镁等杂质。. 工业用碳化硅的合成工艺流程，如图1所示。. 碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si 70. ...
了解更多
2023年5月19日 1、半导体和碳化硅长晶炉领先者，绑定头部客户实现快速发展. 1.1、深耕半导体和碳化硅单晶炉，绑定沪硅率先突破大硅片单晶炉. 公司是国内从事半导体级和碳化硅晶体生长设备制造和销售的领先企业，
了解更多
2019年2月26日 碳化硅冶炼时，电阻炉供电，炉芯体温度上升，达到2600℃左右，通过炉芯体表面传热给周围的混合料，使之发生反应生成碳化硅，并溢出CO。 CO在炉表面燃烧成CO2，形成一个柔和、起伏的蓝色至黄色的火焰毡被；一小部分未燃烧的CO则弥散于大气
了解更多
碳化硅工艺过程简述. 如果把碳化硅各层物料按其制炼后在炉内的位置描绘下来。. 可以得到如图2-1所示制炼后炉子的剖面图。. 上述各层物料的分析数据如表2-1、表2-2所示。. 生产过程中，以上各种物料是在电炉的不同作业阶段中取出的。. 取出的先后次序有时与 ...
了解更多
2023年11月23日 从上述分析可以看出，这两种率先产业化的技术路线都存在一些“症结”，就在硅基负极材料的进一步提升面临瓶颈的时候，新一代技术——采用CVD法的气相沉积硅碳技术应运而生，很快便掀起热潮，成为了当今锂电池负极材料市场的“新宠”。. 新一代CVD法
了解更多
碳化硅晶体生长炉. 采用计算机控制系统和触摸式屏幕显示。. 长晶工艺全过程直观显示，互动性强；带有自动晶体生长控制系统；单晶炉运行过程中电流，功率，温度、气体流量、水温等数据及其变化的过程以电子文档的形式记录在案，方便晶体生长结束后分析 ...
了解更多
具体工艺如下：. 碳化硅的生产工艺-2.反应器装填：将处理好的基材放入CVD反应器中，并将反应器加热至合适的温度。. 3.反应气体供应：将含有碳源和硅源的气体以一定流速供应进入反应器，同时控制反应温度、压力和气体比例。. 4.气相反应：碳源和硅源的气体 ...
了解更多
2024年1月8日 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来76页（附下载）. 报告自由. 最新行业报告库. SiC行业概况：第三代半导体材料性能优越，新能源车等场景带动SiC放量。. 碳化硅（SiC）具有更高热导率、高击穿场强等优点，适用于制作高温、高频、高功率器件，新能源
了解更多
2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
了解更多
综上所述，碳化硅芯片生产工艺流程包括了材料选择与准备、芯片制备与加工以及清洗和封装工序。通过以上步骤的精确控制和优化，可以制备出具有良好性能和可靠性的碳化硅芯片。 4. 对比分析与讨论 氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程 概述说明
了解更多
2017年5月12日 冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法. 1. 成果的基本情况. 碳化硅的工业生产，国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。. 高品质
了解更多
2021年9月3日 制备的电石含量都在85% 以上, 收率在58% 以上。. 何彦涛等[40]利用焦炭和氧化钙在电弧炉. °C) 中制备电石, 氩气作为保护气,并向其中添加氢氧化钾、 无水碳酸钾、氟化钙和氟化镁作为催化剂, 研究其反应性。. 结果表明,加入各种化合物对反应都有促进作用, 加
了解更多
2021年5月24日 1. 碳化硅氮化镓主导，第三代半导体技术竞争白热化！ 2021年，随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体 GaN 及 SiC 元件及模组需求
了解更多
2023年12月18日 碳化硅(SiC)陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构 ...
了解更多
2024年1月5日 碳化硅长晶工艺难点在于温度控制，热场材料仍依赖进口。. 碳化硅晶体生长需在2,000℃以上的高温环境中进行，高于传统硅片制备所需的温度要求，生长条件非常苛刻，且生长过程不可见。. 为保证晶体生长品质需要通过热场精确调控生长温度和压力。. 热场
了解更多
2023年11月12日 目前国内的碳化硅长晶炉设备供应商主要有北方华创和晶升股份，两者在国内占有的份额超过70%，考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。
了解更多
2020年7月4日 碳化硅的合成工艺. 1.原料. 合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主成分的脉石英和石英砂，以及以C为主成分的石油焦，低档次的碳化硅也有以灰分低的无烟煤为原料的。. 辅助原料有木屑和食盐。. 脉石英是一种火成岩，由酸性岩浆分异后发育于其它岩石的
了解更多
2017年2月23日 主权项： 1.一种碳化硅冶炼的废气回收工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将碳化硅密闭炉碳化硅废气接入到吸风机的入口，从而对碳化硅废气进行收集，将其通过管道经过吸附网，吸附碳化硅废气中油脂；S2、将S1中吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温，且将废气温度降至40-50摄氏度 ...
了解更多
4.该碳化硅氮化硅烧结炉配置专属密封马弗，产品产生的硅蒸汽等副产物对加热器及绝缘材料等的污染小；. 5.该碳化硅氮化硅烧结炉采用专用尾气处理装置，环境友好，易清理；. 6.可选择配置脱脂系统，实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理。. 主要配置：. 炉门 ...
了解更多