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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶
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2023年12月1日 以碳化硅为代表的三代半导体材料逐渐收到关注，这种材料具备禁带宽度大、击穿电场高、导热率大等优势，尤其在高压环境中，其表现出的优势更为明显。
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2023年8月8日 在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。. 在半导体晶圆衬底制造过程中，切割磨抛工序是不可或缺的环节之
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2023年4月28日 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或
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碳化硅粉具有优异的高温稳定性、硬度和抗腐蚀性，广泛应用于以下领域：. 碳化硅粉生产工艺-3. 研磨烧结后的产物需要经过研磨处理，以获得所需的碳化硅粉。. 研磨的目的是获得
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2023年11月18日 碳化硅晶圆制造过程中，为了确保顺利产出高质量、高性能的产品，每一步操作都需要非常精确。 其中，碳化硅衬底的研磨抛光尤为重要，因为它直接影响到芯
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碳化硅研磨工艺一般包括以下步骤： 1. 材料准备：选择合适的碳化硅材料，根据需要进行切割或加工成所需形状和尺寸的工件。 2. 粗磨：使用粗砂轮或砂带进行粗磨，去除材料表
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2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...
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2014年7月17日 碳化硅研磨深加工技术如此先进，也就无怪乎其有着十分广泛的用涂，具体如下所示：. 碳化硅微粉在现代化的生产中有着很广泛的应用，而用的较多的就是固体涂
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2022年10月28日 碳化硅单晶衬底研磨液. 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化
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为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低,有污染,损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9 (33)正交 ...
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2023年8月8日 在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。. 在半导体晶圆衬底制造过程中，切割磨抛工序是不可或缺的环节之一,它是将硅晶圆切割成较薄的片状，然后进行研磨和抛光，以获得所需的平整度和表面光洁度。.
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2023年4月28日 2.研磨 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。1)常规双面磨
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2024年3月9日 淄博淄川道新磨料磨具厂是一家专业生产绿碳化硅微粉，碳化硅超细粉，碳化硅研磨粉等产品的公司，采用先进的生产工艺自主研发的技术生产的碳化硅粉，特别适用于单晶硅、多晶硅、压电晶体的线切割、精细研磨、抛光等领域。主要生产绿碳化硅微粉JIS#240-JIS#6000，以及高等耐火材料用超细粉。
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2023年4月28日 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。
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2024年1月12日 黑碳化硅磨料硬度高、化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，可用于抛光研磨材料、耐火材料、冶金选矿等行业，那么黑碳化硅的工艺及用途有哪些呢？冶炼后的成品是碳化硅块。 3、细碎：碳化硅经过粗碎后，就
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2020年8月16日 有鉴于此，国瑞升特进行碳化硅（SiC）衬底抛光工艺的优化和耗材的开发。. 抛光所用测试机台为普通抛光机. 碳化硅（SiC）衬底抛光工艺：粗抛测试条件及参数设定：. 抛光对象： 4寸4H SiC 衬底片*3 pcs*4 Head（片子厚度约470μm）抛 光 垫：特种聚氨酯粗抛垫. 粗 抛 ...
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2022年3月17日 粉体生产线 黑粉膨润土雷蒙磨工艺加工矿石生产设备 铁矿尾沙磨粉 立式mill 矿渣立磨生产设备 矿渣微粉立磨机 有色金属渣处理设备-桂林鸿程 鸿程新型mill HCQ1290雷蒙磨 雷蒙机矿石粉生产线 氢氧化钙生产线 生石灰消化器 灰钙机制粉设备
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2022年2月22日 产品分类： 碳化硅 微粉（黑微粉和绿微粉） 金蒙新材料公司采用干法、湿法、干湿相结合的方法生产碳化硅微粉,根据不同的碳化硅用途以适用于不同产品的不同需求。 生产工艺：金蒙新材料（原金蒙碳化硅）生产的 碳化硅 微粉是指碳化硅原块在粉碎后经雷蒙机、气流磨、球磨机、整形机研磨后 ...
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2023年12月5日 半导体碳化硅（SIC）晶片磨抛工艺方案的详解；. 在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。. 在半导体晶圆衬底制造过程中，切割磨抛工序是不可或缺的环节之一,它是将硅晶圆切割成较薄的片状，然后进行
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2021年4月7日 辽宁克纳研磨材料有限公司是一家集科研、加工、销售为一体的民营企业。主要产品为绿碳化硅微粉采用先进的卧式球磨设备，全封闭式酸洗，全自动层流沉降分级等高新技术。主要用于单晶硅,多晶硅及压电晶体产业的切割、研磨。服务热线： 0412-4872222
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2022年4月28日 碳化硅陶瓷球. （1）粉体制备. 目前，碳化硅粉体的制备方法一般可分为三种：固相法、液相法和气相法。. 固相法就是以固态物质为原料来制备粉末的方法。. 它包括碳热还原法和自蔓延高温合成法。. 在工业生产中，碳热还原法是将石英砂中的二氧化硅用碳
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2024年2月14日 一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺.pdf,本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，且公开了一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，包含以下步骤：S1首先，将碳化硅晶圆放入专用的清洗设备中，使用去离子水和酒精进行清洗，去除表面的灰尘和杂质。该碳化硅晶圆研磨抛光工艺，通过超声波清洗机利用超声波的物理特性 ...
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2023年11月18日 其中，金刚石微粉作为主要的磨料，对碳化硅衬底进行物理磨削。. 分散剂和悬浮剂确保研磨液内的金刚石粒子能均匀分散，防止团聚。. 润滑剂则降低研磨过程中的摩擦，确保碳化硅衬底表面的平滑度和质量。. 2. 金刚石研磨液的优势. 高效率：金刚石微粉的
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碳化硅（SiC）是一种重要的高性能材料，具有高硬度、高耐磨性、高热导率和化学稳定性等优点，在半导体、光电子、光学和机械工程等领域有广泛应用。碳化硅双面研磨是一项常见的加工工艺，可以实现碳化硅材料的精密加工和表面质量的提高。下面将介绍
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2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展
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2024年4月18日 技术领域 本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，具体为一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺。背景技术 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿电场强度、高饱和电子迁移率、高热导率等优点，在电力电子器件领域具有极大的材料优势，目前碳化硅晶圆生长技术已经取得了巨大进展，六英寸 ...
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研磨精密加工的原理：研磨是在精加工基础上用研具和磨料从工件表面磨去一层极薄金属的一种磨料精密加工方法。研磨分为手工研磨和机械研磨。研磨利用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，通过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工表面进行的精整加工（如切削加工）。研磨可用于加工各种 ...
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2023年5月2日 2.研磨 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。1)常规双面磨
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2023年8月12日 2.研磨 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。1)常规双面磨
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