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碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。将碳化矽粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化矽颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测
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2024年4月15日 碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗称 金刚砂 ，宝石名称 钻髓 ，为 硅 与 碳 相键结而成的 陶瓷 状 化合物 ，碳化矽在大自然以 莫
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用途和制作方法. 2023年6月22日. 碳化硅，也称为 SiC，是一种 半导体 基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来
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編輯次數：154次 歷史版本. 最近更新： ucasphotos. 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通
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2023年3月21日 TrendForce旗下半导体研究中心，聚焦化合物半导体. 3 人赞同了该回答. 碳化硅 是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC。 它是一种耐高温、硬度高、抗
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2020年12月7日 有机化学. 化学. SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以β-SiC形式存在；反映温度高于1600℃时，β-SiC逐渐转变成α-SiC的各种多型体，
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2021年3月13日 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三
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2024年4月15日 碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗稱 金剛砂 ，寶石名稱 鑽髓 ，為 硅 與 碳 相鍵結而成的 陶瓷 狀 化合物 ，碳化矽在大自然以 莫
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2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇. 梁上尘. 梁上尘土. 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：. 第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的
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2020年12月7日 碳化硅简介. SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以β-SiC形式存在；反映温度高于1600℃时，β-SiC逐渐转变成α-SiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成α-SiC。. SiC以原料C、SiO2、NaCl和木屑，高温冶炼而成，其反应法程式为：. 该 ...
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SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。. 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。. SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。. 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产
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2024年4月15日 纯的碳化硅是用Lely 法制造的。[16] 通过将碳化硅粉末在2500°C的氩气氛下升华后再沉积形成鳞片状的单晶，在较冷的基底上可形成尺寸大到2×2cm 2 的单晶。Lely法能生长出高品质的碳化硅单晶。因为单晶的生长温度高，所以得到的单晶大多数是6H-SiC ...
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2019年10月9日 什么是碳化硅？ 碳化硅（SiC）又名金刚砂，乍一听想必它与金刚石有点渊源，事实还真是如此。1891年美国人艾奇逊在进行电熔实验时偶然发现了这种碳化物，误以为是金刚石的混合体，便赐它“金刚砂”一名。
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2023年4月10日 一、什么是碳化硅（SiC ）？碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经 ...
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2023年9月2日 浅聊下最近热门的800V电压平台和碳化硅到底是啥。 众所周知，给电池充电要高功率，而影响功率的就是电流和电压。 所以，要快充电，就得提高充电的电压，或者提高充电的电流。 早在2021年10月19日，中国汽车工程学
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2024年1月2日 1. 碳化硅的制备通常通过化学气相沉积法、碳热还原法和熔融法等进行。 2. 化学气相沉积法通常是通过将硅源和碳源在高温下作用，生成沉积在基底上的碳化硅薄膜。 3. 碳热还原法是将硅粉和结合碳源的石墨混合，加热至高温下进行反应，生成成品的碳化硅。
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2023年10月30日 SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车 ...
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碳化硅晶体. 播报 讨论 上传视频. 1824年Berzelius发现的物质. 早在1824年，瑞典科学家Berzelius (1779一1848)在人工合成金刚石的过程中就观察到了 SiC 的存在，但是因为天然的SiC单晶极少，当时人们对SiC的性质几乎没有什么了解。. 中文名. 碳化硅晶体. 外文名.
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2021年12月16日 及用途. 碳化硅的化学符号为（SiC）,是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅碳粉进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，成渣早，还原气氛浓，节约能源，提高炼钢效率，提高质量，降低原辅材料消耗，减少环境
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2023年12月3日 问：什么是碳化硅（SiC ）？答：碳化硅（SiC）由硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。带隙是将电子从围绕原子核的轨道上释放所需的能量，在 3.26 eV 时 ...
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2023年9月5日 碳化硅浇注料--耐火百科 碳化硅浇注料最大的特点是耐磨，其次是抗侵蚀性能强，它的工艺特点就是在耐火浇注料的工艺基础上，加入一定比例的碳化硅，形成一种复合型耐火浇注料。 因碳化硅具有较强的耐磨性能，加入到耐火浇注料中可使浇注料提高耐磨性，而且使浇注料耐磨系数减小，使用 ...
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2021年9月27日 碳化硅（Silicon carbide），化学式为SiC，分子量40.1。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而
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2023年10月26日 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存
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2022年10月31日 题主想说的是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。 这是因为，实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多型体。 3C-SiC这种不稳定性使得它很难以一个合理的速率生长大的3C-SiC晶锭，所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以 3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是 ...
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2021年10月20日 为什么要用碳化硅 ？ 关于蔚来ET7的主驱系统——180kW的永磁电机，为什么会用上碳化硅功率模块技术？「首先一切从用户的利益出发，如果这一项开发对用户有利，那我们就要去做，而且是尽快去做」。而现在「货架」上没有一个完整的碳化硅 ...
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2023年9月15日 以下是SiC MOSFET的一些关键优势：. 1. 高压击穿 ：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以制造更小、电压更高的SiC MOSFET。. 这使得在使用更薄的漂移层的同时实现高击穿电压成为可能。. 2. 电流密度 ：SiC MOSFET提供比硅MOSFET高得多的电流密度，这对于高功率 ...
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2024年1月22日 碳化硅MOSFET具有高频高效，高耐压，高可靠性。. 可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。. 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247. 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应 ...
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2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺 第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。
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