首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2017年12月5日 采用人工精选或者合成的高纯度原材料,经过精确工艺控制及烧结工艺制备而成的新型特种结构陶瓷材料具备高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热
了解更多
无压烧结挤出碳化硅陶瓷工艺是一种制备高性能陶瓷材料的新型工 艺方法，该工艺方法采用无压烧结技术和挤压成型技术相结合，制 备出具有高强度、高硬度、高耐磨性和高耐腐
了解更多
2020年3月24日 1、CVD法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉体的合成方法主要有： CVD 法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si
了解更多
2023年3月13日 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后
了解更多
2023年10月27日 Acheson 法是最早用于制备 SiC 粉体的方法，由于原料来源广泛，产量大，是大规模制备 SiC 粉最常用的方法，但是在制备过程中容易引入其他杂质，导致 SiC
了解更多
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术
了解更多
2012年8月21日 无压碳化硅生产粉料制备 碳化硅粉硅生产技术大全,纳米碳化硅,超细粉,多晶硅共65项技术 适合碳化硅等粉料精密分级使用。 14-BG175386 用天然高岭土制备碳化
了解更多
2022年4月24日 目前较为成熟的工业化制备碳化硅粉末的方法有：（1）Acheson 法，将高纯度石英砂或粉碎后的石英矿， 与石油焦炭、石墨或无烟煤细粉均匀混合，通过石墨电极产生的高温加热至 2 000 ℃ 以上
了解更多
2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ...
了解更多
2022年4月24日 与常压烧结相比，热压烧结可以在相对较低的温度下达到致密化烧结，从而形成良好的显微结构并改善其力学性能。同时采用烧结助剂与热压时，可显著缩短碳化硅的烧结时间和降低烧结温度。因此，有许
了解更多
2024年1月10日 半导体. 制造工艺. 碳化硅. 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、.
了解更多
2013年4月8日 故本实验采用无压烧结法。. 我国是SiC原料生产大国，又具有广泛的工业和高技术需求，此外由于SiC制品的需求是覆盖整个材料的高、中、低档，有利于产业化和规模化，因此可以进行SiC制品的产业化开发和研制 [3]。. 工艺流程2.1工艺的选择碳化硅陶瓷不仅
了解更多
无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC有着的化学稳定性好，但SiC本身很容易氧化，在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜，进而氧化进程逐步被阻碍。. 高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件，纯度大于98.5％的SiC绝大部分用于制造磨料与耐火材料 ...
了解更多
2018年2月22日 四、碳化硅的制备方法4.1碳化硅粉料的制备4.1.1SiO2-C工业上按下列反应式利用高纯度石英砂和焦炭或石油焦在电阻炉内生产4.2碳化硅陶瓷的制备SiC很难烧结,其晶界能与表面能之比很高,同时SiC烧结时扩散速率很低,它表面的氧化膜也起扩散势垒的作用,因此SiC需借助 ...
了解更多
无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计-SiC有两种主要的晶型：一种是β-SiC,有类似于闪锌矿结构的立方晶系结构；另一种是α-SiC,是类似于纤锌矿的六方晶系结构。. 通常情况下β-SiC和α-SiC之间的转化是不可逆的,但是在2000℃一下合成的SiC主要是β-SiC,在2200 ...
了解更多
2021年7月30日 无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料 2022年10月21日 14无压烧结碳化硅造粒粉制备产生回收料的制粉工艺，包括以下步骤：(1) 将废料和报废生坯制品破碎成1cm以下的颗粒，放入球磨机内，放入去离子水浸泡812小时；(2)按照正常量 ...
了解更多
2023年10月27日 本文主要关注的是目前报道过的高纯 SiC 粉的制备方法，对工艺过程以及优缺点进行介绍，最后预测未来的发展方向。. 1、高纯 SiC 粉体的合成方法. 生长 SiC 单晶用的 SiC 粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于 0． 001% 。. 在众多 SiC 粉合成方法
了解更多
2023年11月8日 碳化硅之无压烧结工艺可分为固相烧结碳化娃(SSiC)、液相烧结碳化娃(LSiC)。固相烧结是美国科学家Prochazka于1974年首先发明的, 他在亚微米级的β —SiC 中添加少量的硼与碳,实现碳化硅无压烧结, 制得接近理论密度95%的致密烧结体。
了解更多
本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗粒料,将颗粒料准确称量投入到捏合机中,按照比例加水,进行混炼即可得到具有 ...
了解更多
2019年4月9日 这是因为无压烧结和反应烧结SiC工艺较为成熟，可以直接采用一定颗粒级配的SiC与添加剂混合成型制成生坯，然后在高温下烧结得到制品。. 由于SiC坯体可以预先车削成任何形状，且烧结时坯体收缩率近在3％以内，故可以生产精确尺寸、几何形状复杂的部件 ...
了解更多
2021年12月27日 粉料的性能采用流动性及松装密度测定仪测量其流动性和松装密度,每个样品测定3 次取平均值。颗粒形貌通过扫描电镜进行观察和分析。喷雾干燥制备的固相烧结碳化硅陶瓷粉料,流动性 (样品量 30g) 。表面光滑 ,粉料的流动性良好 ,可以满足压制成型的要求。
了解更多
无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC有两种主要的晶型：一种是β-SiC，有类似于闪锌矿结构的立方晶系结构；另一种是α-SiC，是类似于纤锌矿的六方晶系结构。. 通常情况下β-SiC和α-SiC之间的转化是不可逆的，但是在2000℃一下合成的SiC主要是β-SiC，在 ...
了解更多
2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题：. ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的
了解更多
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
了解更多
碳化硅的制备（3篇）. 将无压力烧结 SiC 再进行热压烧结,使 SiC 型件的密度达到 理论密度的 99%以上,这种新工艺叫做“热等静压烧结的致 密” (HIPS-SiC)。. HP-SiC 是目前获得最佳机械性能的合适方 法。. 参考文献. [2] 秦 成 娟 , 王 新 生 .碳 化 硅 陶 瓷 的 研 究 进 ...
了解更多
碳化硅陶瓷的制备技术- 粉料成型技术的目的是为了得到内部均匀和高密 度的坯体，提高成型技术是提高陶瓷产品可靠性的关 键步骤。. 成型是陶瓷生产过程的一个重要步骤。. 成型过程就是将分散体系 (粉料、塑性物料、浆料) 转变为具有一定几何形状和强度的 ...
了解更多
2018年2月8日 颗粒级配对S-SiC陶瓷的维氏硬度的影响如 图6 所示。随着粗粉加入量的增加, 硬度近似呈先高后低的趋势。粗粉加入量为60wt%的C60具有最高的硬度, 达到 (25.44±0.79) GPa;粗粉加入量为65wt%的C65的硬度为 (24.11±0.70) GPa, 相比于C0的硬度 ( (23.41±0.51) GPa), 分别提升 8.7%与 3.0% ...
了解更多
2011年9月27日 热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的碳化硅材料,其高温强度可一直维持到1600，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。 因而是制造密封环的理想材料。 它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。
了解更多