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2024年3月18日 无压烧结碳化硅工艺在制备碳化硅陶瓷方面具有诸多优势，但也存在需要改进的地方。. 随着技术的不断进步和优化，相信无压烧结碳化硅工艺将在未来发挥更大的
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2024年1月8日 压力/无压烧结碳化硅（DSSC），也被称为直接烧结碳化硅，是碳化硅陶瓷行业的变革性技术。 DSSC是一种简单的工艺，可以实现与热压烧结碳化硅几乎相同的
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2024年1月8日 生产细烧结级碳化硅粉末主要存在两大成本驱动因素：一是将碳化硅研磨至如此细小的颗粒尺寸需要消耗大量能量；二是研磨介质会受到磨料碳化硅的严重侵蚀，从
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碳化硅陶瓷 无压烧结 烧结助剂 固相烧结 液相烧结. 学位级别： 硕士. 学位年度： 2009. DOI： 10.7666/d.y1545811. 被引量： 8. 收藏 引用 批量引用 报错 分享. 全部来源 求助全
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无压烧结挤出碳化硅陶瓷工艺是一种制备高性能陶瓷材料的新型工 艺方法，该工艺方法采用无压烧结技术和挤压成型技术相结合，制 备出具有高强度、高硬度、高耐磨性和高耐腐
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碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能,被广泛应用于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法.无压烧结具有操作简单,成本低,可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工
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碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能，被广泛应用于许多领域，碳化硅陶瓷制备常用无 压烧结工艺。 无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件， 而且相
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本文概述了烧结机理研究的最新进展,回顾了碳化硅烧结研究的发展历程,展示了这一新型材料广阔的发展前景.用常压方法对碳化硅烧结工艺进行了实验研究,特别是对烧结温度,烧结助
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2021年3月13日 耐腐蚀性能方面，无压烧结碳化硅对于普通的酸碱有良好的耐受性，但是反应烧结碳化硅对于氢氟酸、强碱、磷酸的耐腐蚀性很差。 无压烧结碳化硅，常压烧结碳化硅 耐温性能方面，当温度低于1000℃时，几种成型的碳化硅的抗张强度均差不多，但是当温度
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为什么选择无压烧结制备SiC陶瓷？ 知乎 2022年12月6日 而采用无压固相烧结的碳化硅陶瓷，其在高温下的机械性和在强酸强碱下的耐腐蚀性远好于反应烧结碳化硅。无压烧结工艺研究 1、固相烧结 固相烧结SiC陶瓷的温 碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能，被广泛应用于许多领域，碳化硅陶瓷制备常用无 压 ...
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2019年12月13日 碳化硅的无压烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结两种。 固相烧结的主要缺点为：需要较高的烧结温度（＞2000℃），对原材料的纯度要求较高，并且烧结体断裂韧性较低，有较强的裂纹强度敏感性，在结构上表现为晶粒粗大且均匀性差，断裂模式为典型的
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2019年4月9日 这是因为无压烧结和反应烧结SiC工艺较为成熟，可以直接采用一定颗粒级配的SiC与添加剂混合成型制成生坯，然后在高温下烧结得到制品。. 由于SiC坯体可以预先车削成任何形状，且烧结时坯体收缩率近在3％以内，故可以生产精确尺寸、几何形状复杂的部件 ...
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本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗粒料,将颗粒料准确称量投入到捏合机中,按照比例加水,进行混炼即可得到具有 ...
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2021年3月12日 一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺[发明专利]-2CN 112479716 A说 明 书1/2 页一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺技术领域 [0001] 本发明涉及碳化硅产品技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅的挤出成型工 艺。 背景技术 [0002] 目前长尺寸、大截面 ...
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2021年8月18日 介绍了复杂结构碳化硅陶瓷的制备工艺，并分析了目前常用的冷等静压成型结合无压烧结制备技术、凝胶注模成型结合反应烧结制备技术、注浆成型结合反应烧结制备技术、3D打印成型结合反应烧结制备技术等制备工艺的优缺点，以期为复杂结构碳化硅陶瓷的 ...
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2018年3月14日 1、烧制过程不同. 反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。. 而无压烧结是在2100度下，自然收缩而成的碳化硅制品。. 2、烧结的产品技术参数不同. 反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。. 3、产品性能不同. 反应 ...
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2011年9月27日 1974年美国科学家Prochazka首先成功地采用亚微米级β－SiC和少量的B、C添加剂作原料，通过无压烧结工艺制得了致密的碳化硅陶瓷。. 从此，碳化硅成为非常重要的高温结构材料，已形成一个新兴产业。. 1.2SiC结晶形态和晶体结构碳化硅是共价键非常强的化合无，其 ...
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2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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设计题目名称无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计 起止时间2012年05月20日到2011年06月5日 成 绩 指导教师签名 北方民族大学教务处制 1前言 碳化硅（SiC）在自然界中几乎不存在，所以SiC是人工合成材料。随后在陨石中偶然发现SiC 化合物的存在。
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碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究. 碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能,被广泛应用于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法.无压烧结具有操作简单,成本低,可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工业化生产等特点,因此无压烧结是碳化硅陶瓷 ...
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二、碳化硅陶瓷的烧结 1、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。 美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比 ...
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2016年10月2日 1、烧制过程不同. 反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。. 而无压烧结是在 2100 度下，自然收缩而成的碳化硅制品。. 2、烧结的产品技术参数不同. 反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。. 3、产品性能不同. 反
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无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC有着的化学稳定性好，但SiC本身很容易氧化，在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜，进而氧化进程逐步被阻碍。. 高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件，纯度大于98.5％的SiC绝大部分用于制造磨料与耐火材料 ...
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2022年12月6日 而采用无压固相烧结的碳化硅陶瓷，其在高温下的机械性和在强酸强碱下的耐腐蚀性远好于反应烧结碳化硅。无压烧结工艺研究 1、固相烧结 固相烧结SiC陶瓷的温度较高，但其物化性能稳定，尤其是在高温下强度不会发生改变，具有特殊的应用价值。
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2021年12月27日 但由于本实验对性能要求不是很高且仅干压成型就可以满足要求，故本实验只采用了干压成型工艺对其成形。烧结方式碳化硅的烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结。两种烧结工艺所得到的碳化硅陶瓷的结构及性能特点。如表 2-1 所示，两种烧结方法的研究现
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无压烧结碳化硅工艺 无压烧结碳化硅工艺是一种用于制备碳化硅陶瓷材料的方法，它采用高温烧结技 术，将碳化硅粉末在无氧或惰性气体中加热烧结，使粉末颗粒之间发生化学反应 和结晶生长，形成致密的碳化硅陶瓷材料。相比于传统的压力烧结工艺，无压烧 结碳化硅工艺具有节能、环保、成本 ...
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2022年11月3日 从专家视角把握市场动态. 碳化硅陶瓷材料烧结技术的研究与应用进展. 李辰冉，谢志鹏，赵林. (1. 景德镇陶瓷大学 材料科学与工程学院，江西景德镇 333403；2. 清华大学 材料学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084) 摘要 ：碳化硅陶瓷材料具有
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